BURIED SILICON-NITRIDE FORMED BY NITROGEN IMPLANTATION

被引:0
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作者
ZIMMER, G
VOGT, H
BELZ, J
TEKAAT, E
机构
[1] UNIV DORTMUND,INST PHYS,D-4600 DORTMUND 50,FED REP GER
[2] FRAUNHOFER INST,IMS,D-4100 DUISBURG,FED REP GER
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
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页码:C95 / C95
页数:1
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