INFLUENCE OF RADIATION DEFECT FORMATION ON THE DIFFUSION PROFILE OF ALUMINUM IN SILICON SUBJECTED TO ELECTRON-IRRADIATION

被引:0
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作者
MAKHKAMOV, S
PAKHARUKOV, YV
YUNUSOV, MS
机构
来源
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1989年 / 23卷 / 09期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
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页码:1042 / 1043
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