PROMPT AND TOTAL DOSE-RESPONSE OF HARD 4K AND 16K CMOS STATIC RANDOM-ACCESS MEMORIES (SRAMS)

被引：2
|
作者：
WITTELES, AA
VOLMERANGE, H
DAVIDSON, H
YUE, H
JENNINGS, R
BRUCKER, GJ
机构：
[1] ROLM CORP,SAN JOSE,CA 95134
[2] RCA CORP,ASTRO ELECTR,PRINCETON,NJ 08540
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1984年 / 31卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1109/TNS.1984.4333510
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：1354 / 1357
页数：4
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