A COLLECTOR-UP ALGAAS/GAAS HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTOR FABRICATED USING 3-STAGE MOCVD

被引：3
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作者：
KAWAI, H
KOBAYASHI, T
KANEKO, K
机构：
来源：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1988年 / 9卷 / 08期
关键词：
D O I：
10.1109/55.764
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
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页码：419 / 421
页数：3
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