CHARGE EFFECTS IN METAL-INSULATOR SEMICONDUCTOR STRUCTURES BASED ON INDIUM-ANTIMONIDE

被引：0
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作者：
GURTOV, VA
IVASHENKOV, ON
KURYSHEV, GL
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1986年 / 20卷 / 03期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
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页码：261 / 263
页数：3
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