PILE UP OF IMPLANTED PHOSPHORUS DURING PALLADIUM SILICIDE FORMATION AND THE CHARACTERISTICS OF SCHOTTKY-BARRIER DIODES

被引：15
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作者：
KIKUCHI, A
机构：
来源：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1983年 / 54卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1063/1.332579
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
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页数：3
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