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SILANE OXIDATION IN A LOW-PRESSURE CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION SYSTEM IN THE TEMPERATURE-RANGE 100-450-DEGREES-C
被引:6
|作者:
COBIANU, C
机构:
[1] Center of Microtechnology, Bucharest, 72996
关键词:
D O I:
10.1016/0040-6090(93)90195-U
中图分类号:
T [工业技术];
学科分类号:
08 ;
摘要:
[No abstract available]
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