THEORY OF HIGH-FREQUENCY PROPERTIES OF BALLISTIC BIPOLAR HETEROJUNCTION TRANSISTORS

被引：0
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作者：
RYZHII, VI
FEDIRKO, VA
KHMYROVA, II
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1984年 / 18卷 / 07期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
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页数：2
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