MIXING AND CHEMICAL EFFECTS IN SIMS DEPTH PROFILING THE SI/SIO2 INTERFACE

被引:8
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作者
ANDERLE, M [1 ]
LOXTON, CM [1 ]
机构
[1] UNIV ILLINOIS,MAT RES LAB,URBANA,IL 61801
关键词
D O I
10.1016/0168-583X(86)90281-8
中图分类号
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
0804 ; 080401 ; 081102 ;
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页数:3
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