A 256 KBIT DYNAMIC RAM IN 2-MU-M POLYCIDE GATE TECHNOLOGY WITH LASER REDUNDANCY

被引:0
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作者
MULLER, W
DEPPE, H
KANTZ, D
BEINVOGL, W
GRIESSING, J
HEBBEKER, H
机构
关键词
D O I
暂无
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
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页码:202 / 207
页数:6
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