INFLUENCE OF THERMAL OXIDATION OF SILICON ON POSITION OF ABSORPTION BAND DUE TO OXYGEN ATOMS IN LAMBDA=0.1 MU REGION

被引：0
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作者：
BRUTSYN, KI
MATVEEV, VV
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SOLID STATE,USSR | 1965年 / 6卷 / 12期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
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