TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE ELECTRON-IMPACT IONIZATION COEFFICIENT IN SILICON

被引：28
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作者：
ERSHOV, M
RYZHII, V
机构：
来源：
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1995年 / 10卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/10/2/003
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
We have used a Monte Carlo simulation to study the temperature dependence of the electron impact ionization coefficient in silicon. On the basis of the results of the Monte Carlo calculations, we propose an empirical model for the impact ionization coefficient as a function of electric field or average electron energy, which is applicable over a wide range of lattice temperatures.
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