AVALANCHE BREAKDOWN VOLTAGES OF ABRUPT AND LINEARLY GRADED P-N JUNCTIONS IN GE SI GAAS AND GAP - (DOPANT EFFECTS IMPURITY EFFECTS T)

被引：383
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作者：
SZE, SM
GIBBONS, G
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1966年 / 8卷 / 05期
关键词：
D O I：
10.1063/1.1754511
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页码：111 / &
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