REARRANGEMENT OF ELECTRONIC-STRUCTURE AT THE METAL SILICIDE-SILICON INTERFACE AT LOW-TEMPERATURE ANNEALING

被引:0
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作者
ILCHENKO, VV
STRIKHA, VI
机构
来源
UKRAINSKII FIZICHESKII ZHURNAL | 1983年 / 28卷 / 02期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
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页码:248 / 252
页数:5
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