ON THE INAPPROPRIATE USE OF THE INTRINSIC LEVEL AS A MEASURE OF THE ELECTROSTATIC POTENTIAL IN SEMICONDUCTOR-DEVICES

被引：8
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作者：
MARSHAK, AH
机构：
来源：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1985年 / 6卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1985.26069
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：128 / 129
页数：2
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