FAST SHRINKAGE OF OXIDATION STACKING-FAULTS DURING O2/NF3 OXIDATION OF SILICON

被引：5
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作者：
KIM, US
JACCODINE, RJ
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1986年 / 49卷 / 18期
关键词：
D O I：
10.1063/1.97414
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页码：1201 / 1203
页数：3
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