LATERAL CONFINEMENT INGAASP SUPERLUMINESCENT DIODE AT 1.3 MU-M

被引：39
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作者：
KAMINOW, IP
EISENSTEIN, G
STULZ, LW
DENTAI, AG
机构：
来源：
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS | 1983年 / 19卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1109/JQE.1983.1071724
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页数：5
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