KINETICS AND MECHANISM OF POROUS LAYER GROWTH DURING NORMAL-TYPE SILICON ANODIZATION IN HF SOLUTION

被引：33
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作者：
PARKHUTIK, VP
GLINENKO, LK
LABUNOV, VA
机构：
来源：
SURFACE TECHNOLOGY | 1983年 / 20卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1016/0376-4583(83)90009-2
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
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页码：265 / 277
页数：13
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