NEAR-BANDGAP PHOTOLUMINESCENCE IN TE-DOPED IN1-XGAXP (0.2 LESS-THAN-OR-EQUAL-TO X LESS-THAN-OR-EQUAL-TO 0.5)

被引:1
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作者
MATSUMOTO, T [1 ]
KATO, T [1 ]
ISHIDA, T [1 ]
机构
[1] YAMANASHI UNIV,FAC ENGN,DEPT ELECTR ENGN,KOFU,JAPAN
关键词
D O I
10.1143/JJAP.15.1491
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:1491 / 1495
页数:5
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