DIRECT OBSERVATION OF LATTICE DEFECTS IN SILICON BY MEANS OF TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY

被引:0
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作者
FORLANI, F
GONDI, P
机构
来源
NUOVO CIMENTO | 1962年 / 23卷 / 04期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
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