Electroluminescence in Heterostructures GaSb/AlSb/InAsSb Due to Tunneling Mechanism of Radiative Recombination

被引：0

作者：

L. V. Danilov

M. P. Mikhailova

E. V. Ivanov

Yu. P. Yakovlev

P. S. Kop’ev

机构：

[1] Ioffe Institute,

来源：

Semiconductors | 2020年 / 54卷

关键词：

electroluminescence; tunneling recombination; blue shift; deep quantum well;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1820 / 1822

页数：2