Isolation of a lattice-mismatched AlInAs/GaInAs layer on InP using ion implantation for high energy mobility transistor realization (vol 15, pg 1008, 1997)

被引：0

作者：

Fourre, H ^{[1
]}

Pesant, JC ^{[1
]}

Schuler, O ^{[1
]}

Cappy, A ^{[1
]}

机构：

[1] Inst Elect & Microelect Nord, Dept Hyperfrequences & Semicond, CNRS, UMR 9929, F-59652 Villeneuve Dascq, France

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1998年 / 16卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1116/1.589792

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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