Bias Polarity-Induced Transformation of Point Contact Resistive Switching Memory from Single Transparent Conductive Metal Oxide Layer

被引：15

作者：

Huang, Jian-Shiou ^{[1
]}

Lin, Yung-Chang ^{[2
]}

Tsai, Hung-Wei ^{[1
]}

Yen, Wen-Chun ^{[1
]}

Chen, Chia-Wei ^{[1
]}

Lee, Chi-Yuan ^{[1
]}

Chin, Tsung-Shune ^{[3
]}

Chueh, Yu-Lun ^{[1
]}

机构：

[1] Natl Tsing Hua Univ, Dept Mat Sci & Engn, Hsinchu 30013, Taiwan

[2] Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki, Japan

[3] Feng Chia Univ, Dept Mat Sci & Engn, Taichung 40724, Taiwan

来源：

ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS | 2015年 / 1卷 / 08期

关键词：

THIN-FILMS;

D O I：

10.1002/aelm.201500061

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页数：6