3D NAND Flash测试平台设计与实现

被引：0

作者：

黄圆 ^{[1
]}

楼向雄 ^{[1
]}

李振华 ^{[2
]}

机构：

[1] 杭州电子科技大学通信工程学院

[2] 浙江商业职业技术学院高教研究所

来源：

杭州电子科技大学学报(自然科学版) | 2018年 / 38卷 / 01期

关键词：

3D NAND Flash; 时序验证; 存储特性;

D O I：

10.13954/j.cnki.hdu.2018.01.008

中图分类号：

TP333 [存贮器];

学科分类号：

081201 ;

摘要：

3D NAND Flash制造工艺的快速发展,在提高存储密度降低成本的同时,也带来了新的存储特性。对3DFlash存储特性的研究,有利于其进一步的应用和发展。采用S281芯片为控制芯设计了3DFlash通用测试平台,实验结果表明,该平台可以实现对所有型号Flash的时序验证,同时还可以用于3DFlash的特性分析,通过实测得到的存储特性数据进一步验证了平台设计的可靠性。

引用

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