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数据
一种新型NAND flash的寿命测试方法
被引:1
|
作者
:
张朝锋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海交通大学微纳电子系
上海交通大学微纳电子系
张朝锋
[
1
]
机构
:
[1]
上海交通大学微纳电子系
来源
:
集成电路应用
|
2016年
/ 07期
关键词
:
NAND flash;
快速测试;
寿命测试;
D O I
:
10.19339/j.issn.1674-2583.2016.07.008
中图分类号
:
TP333 [存贮器];
学科分类号
:
081201 ;
摘要
:
在NAND flash测试中,需要对其使用寿命进行监控和测试,以便有效筛选出不合格产品,避免在后续封装以及使用过程中造成不必要的经济损失。关于NAND flash的寿命测试,即检查NAND flash能承受的最大编程/擦除次数,目前常规使用的编程以及擦除的方法需要很长测试时间,提高了测试成本。提出一种测试NAND flash寿命的快速测试方法,将寿命测试时间由原来的1.5h减小到0.13h,节约91%的寿命测试时间。
引用
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页码:38 / 40
页数:3
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