Cu(In0.7Ga0.3)Se2薄膜太阳电池的研究

被引：0

作者：

朱美玲 ^{[1
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张项安 ^{[1
]}

胡筱 ^{[1
]}

王鹏 ^{[1
]}

李苗苗 ^{[2
]}

机构：

[1] 许继集团有限公司

[2] 河南师范大学物理与信息工程学院

来源：

电源技术 | 2014年 / 38卷 / 09期

关键词：

CIGS薄膜电池; I-V特性; 测控溅射; 电学性能; 光学性能;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM914.4 [太阳能电池];

学科分类号：

080502 ;

摘要：

采用直流溅射方法研究Cu(In0.7Ga0.3)Se(CIGS)薄膜太阳电池的背电极Mo薄膜、吸收层CIGS薄膜、缓冲层ZnS薄膜以及窗口层ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备条件,并利用XRD、AFM和SEM对薄膜表面形貌进行表征。根据实验结果制备了性能良好的CIGS薄膜电池,并初步研究了电池的I-V特性,研究发现制备的太阳电池的填充因子大概为36%,并分析影响填充因子的原因。通过反复研究CIGS薄膜电池的制备条件,为制备高效CIGS薄膜电池奠定了基础。

引用

页码：1634 / 1636 +1674

页数：4