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ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响
被引：3
|作者：
王宝义
张仁刚
张辉
万冬云
魏龙
机构：
[1] 中国科学院高能物理研究所
[2] 中国科学院高能物理研究所 北京100049
来源：
关键词：
ZnS薄膜;
磁控溅射;
ZnO硫化;
太阳电池;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜 ,然后经过不同条件退火和在H2 S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜 .用x射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和UV—VIS分光光度计对ZnS薄膜样品进行了分析 .结果表明 ,ZnO薄膜硫化后的晶体结构和光学性质取决于它的退火条件 .真空和纯O2 中退火的ZnO薄膜硫化后只是部分形成六角晶系结构的ZnS .而在空气和纯N2 中退火的ZnO薄膜则全部转变为ZnS ,在可见光范围内的光透过率可达约 80 % ,禁带宽度分别为 3 6 6和 3 6 1eV .ZnO薄膜的富氧、贫氧和近化学计量比状态是导致其硫化后性质差异的主要原因 .
引用
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页码：1874 / 1878
页数：5
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