共 4 条
- [1] SrRuO3导电层对快速退火制备Pb（Zr,Ti）O3薄膜结构和性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2010, 39 (03) : 608 - 612+627王宽冒刘保亭倪志宏赵敬伟李丽李曼周阳
- [3] 铁电存储器[M]. - 清华大学出版社[英]J.F.Scott著, 2004
- [4] 铁电体物理学[M]. - 科学出版社 , 钟维烈著, 1996
光照对BiFe0.95Mn0.05O3薄膜铁电和输运性质的影响
被引：3
|作者：
彭增伟
[1
]
刘保亭
[1
]
魏大勇
[1
]
马继奎
[1
]
王宽冒
[1
]
李曼
[1
]
赵光
[2
]
机构：
[1] 河北大学物理科学与技术学院
[2] 河北省科技工程学校
来源：
关键词：
光照;
BiFe0.95Mn0.05O3薄膜;
铁电性质;
输运性质;
D O I：
10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2011.02.039
中图分类号：
O614.532 [];
学科分类号：
摘要：
采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并构架了Pt/SrRuO3/BFMO/Pt型电容器。X射线衍射(XRD)分析发现在650℃快速退火可以得到良好结晶质量的多晶薄膜。紫光入射到薄膜表面,电滞回线发生变化,这是由于光照在薄膜内部产生的光生载流子影响了退极化场的分布。研究表明,在紫光照射下,薄膜的漏电流密度变大,电导由5.1×10-7S增大到6.63×10-7S。通过对暗电流密度的拟合发现,BFMO薄膜为欧姆导电机制。
引用
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页数：4
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