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- [5] CMOS射频集成电路分析与设计[M]. 清华大学出版社 , 池保勇, 2006
一种可切换的双频段CMOS低噪声放大器
被引：5
|作者：
武振宇
[1
]
马成炎
[2
]
叶甜春
[1
]
庄海孝
[1
]
机构：
[1] 中国科学院微电子研究所
[2] 杭州中科微电子有限公司
来源：
关键词：
CMOS;
低噪声放大器;
双频段;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN722.3 [低噪声放大器];
学科分类号：
080902 ;
摘要：
基于0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种可切换的双频段CMOS低噪声放大器,其输入输出均匹配到50Ω。加入封装、ESD电路和PAD模型,采用Cadence Spectre RF进行仿真。结果显示,在1.8 V工作电压下,1.575 GHz输入时,LNA的噪声系数、功率增益和偏置电流分别为0.9 dB、18.2 dB和5.7 mA;1.2 GHz输入时,LNA的噪声系数、功率增益和偏置电流分别为0.8dB、16.8 dB和5.3 mA。
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页数：5
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