一种双频段CMOS低噪声放大器

被引：5
|
作者：
殷吉辉
杨华中
机构：
[1] 清华大学微电子学研究所
[2] 清华大学微电子学研究所 北京100084
来源：
微电子学 | 2007年 / 03期
关键词：
低噪声放大器; CMOS; 双频段; 射频前端;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN722.3 [低噪声放大器];
学科分类号：
080902 ;
摘要：
描述了一个可同时处理输入信号在937.5 MHz和408 MHz频段,应用于数字对讲机射频前端的双频段CMOS低噪声放大器(LNA)。所有的输入输出都被匹配到50Ω。芯片采用0.18μmCMOS工艺制造。仿真结果显示,在1.5 V供电电压下,937.5 MHz时,LNA的噪声系数、功率增益和偏置电流分别为0.92 dB、19.0 dB和6.0 mA;408 MHz时,分别为0.72 dB、20.9 dB和3.0 mA。据笔者所知,这是首个可以处理频率低至408 MHz信号的双频段CMOS低噪声放大器。
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页码：403 / 406
页数：4
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