Nd∶DL-ALa∶L-GLu∶TGS晶体的生长及热释电性能研究

被引：0

作者：

强亮生

薛玉

孙莹

张晶莹

郭慎满

徐崇泉

朱春城

林红

机构：

[1] 黑龙江农垦师专化学系

[2] 哈尔滨工业大学应用化学系

来源：

关键词：

掺杂TGS晶体; 热释电晶体; 热释电性能; 溶液晶体生长;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.1997.02.013

中图分类号：

O472.7 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 0809 ; 080903 ;

摘要：

选择Ｎｄ２Ｏ３、Ｌ谷氨酸、ＤＬ丙氨酸为掺杂剂，生长出Ｎｄ：ＤＬＡＬａ∶ＬＧＬｕ∶ＴＧＳ晶体，测定了其热释电性能。结果表明，Ｎｄ∶ＤＬＡＬａ∶ＬＧＬｕ∶ＴＧＳ晶体有希望成为性能优良的热释电新的晶体材料

引用

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