TGSFB晶体生长及其热释电性能

被引：2

作者：

郑吉民

车云霞

机构：

[1] 南开大学化学系

[2] 南开大学化学系天津 300071

来源：

科学通报 | 1991年 / 02期

关键词：

热释电; 单晶体; 红外材料;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

TGS晶体是优良的红外热释电材料,化学组成为[(NHCHCOOH)·HSO],属单斜晶系,空间群为P2,极化方向为二次轴方向。TGS晶体的居里温度T为49℃,49℃以下为铁电相,49℃以上为顺电相,只有铁电相时才有热释电性能。为了进一步提高居里温度,加宽器件的使用范围,同时进一步提高优值比(P/8),本文旨在得出用HBeF有规律的部分取代TGS晶体中的HSO,生长出的TGSFB晶体的热释电性能和应用前景。

引用

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