Study of backside laser-probe signals in MOSFETs

被引:0
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作者
Univ of Technology, Vienna, Austria [1 ]
机构
来源
Microelectron Eng | / 1-4卷 / 87-94期
关键词
This work was partly supported by the; Forschungssektion des Bundesministeriums fi~r Wissenschaft und Forschung and the; Oesellschafl fiir Mikroelektronik; Austria;
D O I
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14
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