Atomic layer epitaxy of AlAs and (AlAs)n(GaAs)n superlattices with a new aluminum source ethyldimethylamine alane

被引:0
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作者
Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Japan [1 ]
机构
来源
J Cryst Growth | / 1-2卷 / 13-17期
关键词
D O I
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