Oxidation temperature dependent restructuring of the Pb defect at the (111) Si/SiO2 interface

被引:0
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作者
机构
[1] Stesmans, A.
来源
Stesmans, A. | 1600年 / Pergamon Press Inc, Tarrytown, NY, United States卷 / 96期
关键词
Interfaces; (materials);
D O I
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