MECHANISM OF LOW-TEMPERATURE CAPTURE OF A DEFECTION BY AN ATTRACTIVE CENTER IN A CRYSTAL.

被引：0
|
作者：
Klinger, M.I.
机构：
来源：
Soviet physics. Semiconductors | 1980年 / 14卷 / 05期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTOR MATERIALS
引用
收藏
页码：567 / 570
相关论文
共 50 条
12345