Barrier height of InP Schottky diodes prepared by means of UV oxidation

被引:0
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作者
机构
[1] Nakamura, Junichi
[2] Niu, Hirohiko
[3] Kishino, Seigo
来源
Nakamura, Junichi | 1600年 / 32期
关键词
Schottky barrier diodes;
D O I
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