Impurity diffusion in a semiconductor in two states differing in diffusion coefficient and in the charge of the impurity atoms

被引:0
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作者
A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, Saint-Petersburg, 194021, Russia [1 ]
机构
来源
Diffus Defect Data Pt A Diffus Forum | / 1031-1036期
关键词
D O I
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