Effet des traitements thermiques sur le comportement électrique des couches de silicium polycristallin pour des applications photovoltaques

La puissance débitée par les systèmes solaires ne cesse daugmenter, soit par lamélioration du rendement de conversion, soit par la multiplication des techniques de fabrication des photopiles solaires. Devant loffre de fortes sources dénergies conventionnelles des prix relativement bas, lutilisation du silicium polycristallin aboutit aux cellules polycristallines faible cot de production. Cependant, les paramètres photovoltaques de ce type de cellules sont affectés par lexistence des joints de grains et la ségrégation des impuretés leurs niveaux. Ceci nous a ammené nous intéresser dans le cadre de ce travail linfluence des traitements thermiques sur le comportement électrique des couches de silicium polycristallin destinées des applications photovoltaques. Les résultats obtenus ont montré que les couches dopées arsenic sont plus résistives que celles dopées bore, et que les traitements thermiques réduisent le nombre de porteurs piégés et la quantité datomes de dopant aux joints de grains. Dautre part, cette étude nous a permis de constater que lélévation de la température des traitements thermiques favorise laugmentation de la conductivité électrique. De plus, la conductivité électrique dans des couches dopées bore est plus élevée que celle dans des couches dopées arsenic. © EDP Sciences 2012.