SELF-INTERACTION CORRECTION TO THE LOCAL-DENSITY APPROXIMATION IN THE CALCULATION OF THE ENERGY-BAND GAPS OF SEMICONDUCTORS BASED ON THE FULL-POTENTIAL LINEARIZED AUGMENTED-PLANE-WAVE METHOD

被引：23
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作者：
HAMADA, N
OHNISHI, S
机构：
来源：
PHYSICAL REVIEW B | 1986年 / 34卷 / 12期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRevB.34.9042
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
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页码：9042 / 9044
页数：3
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