THE PHYSICAL BEHAVIOR OF AN N+P SILICON SOLAR-CELL IN CONCENTRATED SUNLIGHT

被引：3
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作者：
DHANASEKARAN, PC
GOPALAM, BSV
机构：
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1982年 / 25卷 / 08期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(82)90200-3
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：719 / 722
页数：4
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