DIELECTRIC ENHANCEMENT OF RESISTIVITY OF N-TYPE DEGENERATELY DOPED GERMANIUM AT LOW-TEMPERATURE

被引:24
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作者
KRIEGER, JB
MEEKS, T
机构
[1] CITY UNIV NEW YORK,BROOKLYN COLL,DEPT PHYS,BROOKLYN,NY 11210
[2] CITY UNIV NEW YORK,KINGSBOROUGH COMMUNITY COLL,DEPT PHYS SCI,BROOKLYN,NY 11235
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1973年 / 8卷 / 06期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.8.2780
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:2780 / 2785
页数:6
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