INCLINED EPITAXY OF (411) BETA SILICON-CARBIDE ON (511) SILICON BY CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：7
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作者：
SHIGETA, M
NAKANISHI, K
FUJII, Y
FURUKAWA, K
HATANO, A
UEMOTO, A
SUZUKI, A
NAKAJIMA, S
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1987年 / 50卷 / 23期
关键词：
D O I：
10.1063/1.97767
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：1684 / 1685
页数：2
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