THE ROLE OF SURFACE CHARGING AND POTENTIAL REDISTRIBUTION ON THE KINETICS OF HOLE INJECTION REACTIONS AT N-GAAS

被引:25
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作者
NOTTEN, PHL
机构
关键词
D O I
10.1016/0013-4686(87)87044-5
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
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