TEM OBSERVATION OF DARK DEFECTS APPEARING IN INGAASP-INP DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LIGHT-EMITTING-DIODES AGED AT HIGH-TEMPERATURE

被引：13
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作者：
UEDA, O
KOMIYA, S
YAMAKOSHI, S
KOTANI, T
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1981年 / 20卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.20.1201
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页码：1201 / 1210
页数：10
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