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NORMAL-TYPE DOPING TECHNIQUES IN SILICON MOLECULAR-BEAM EPITAXY BY SIMULTANEOUS ARSENIC ION-IMPLANTATION AND BY ANTIMONY EVAPORATION

被引：49
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作者：
OTA, Y
机构：
来源：
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1979年 / 126卷 / 10期
关键词：
D O I：
10.1149/1.2128792
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
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页码：1761 / 1765
页数：5
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