EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF THE MELTING PARAMETERS OF SILICON-NITRIDE

被引：0
|
作者：
KOSTANOVSKII, AV
EVSEEV, AV
机构：
来源：
HIGH TEMPERATURE | 1994年 / 32卷 / 01期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
Results are given for the first time of experimental investigations of the parameters of melting and thermodynamic stability of silicon nitride in the temperature range of 1300 - 4000 K under an ambient gas pressure of 10 - 200 MPa. The melting temperature of silicon nitride in the range of gas pressure of 120 - 198 MPa is shown to vary from 2560 to 2775 K.
引用
下载
收藏
页码：25 / 28
页数：4
相关论文
共 50 条
12345