1-F NOISE IN SILICON DIODES

被引：4
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作者：
JANTSCH, O [1 ]
FEIGT, I [1 ]
机构：
[1] SIEMENS AG,RES LABS,ERLANGEN,WEST GERMANY
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1973年 / 16卷 / 12期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(73)90074-9
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：1517 / 1520
页数：4
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