NEW MODEL OF THE LOW-DOSAGE EFFECT IN SEMICONDUCTORS

被引：0
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作者：
MAK, VT
机构：
来源：
PISMA V ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI | 1989年 / 15卷 / 12期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O59 [应用物理学];
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