LUMINESCENCE AT 4.3-4.6 EV IN SILICON-NITRIDE AND HYDROXYNITRIDE AMORPHOUS LAYERS

被引:0
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作者
SHAVALGIN, YG
PUNDUR, PA
机构
来源
PISMA V ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI | 1990年 / 16卷 / 07期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
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